RAAAM Memory Technologies השלימה סבב גיוס A של 17.5 מיליון דולר בהובלת NXP Semiconductors כדי להביא את פתרון הזיכרון על שבב החדשני שלה לייצור המוני
חברת הסטארט-אפ RAAAM Memory Technologies, שפיתחה את הדור הבא של טכנולוגיית הזיכרון על שבב, הודיעה על השלמת סבב גיוס A בהיקף 17.5 מיליון דולר. את הסבב הובילה NXP Semiconductors, והשתתפו בו בנוסף: חברה מובילה בתחום הרשתות והתקשורת, IAG Capital Partners, EIC Fund, LiFTT, Alumni Ventures, וכל המשקיעים הקיימים, כולל J-Ventures, Silicon Catalyst Ventures ו-Serpentine Ventures. הסבב מביא את סך ההשקעות בחברה ליותר מ-24 מיליון דולר, כולל השקעות הון ומענק יוקרתי מהרשות האירופאית לחדשנות – EIC Accelerator.
ההון שגויס ישמש להשלמת הפיתוח של טכנולוגיית הזיכרון על השבב (“GCRAM”) של RAAAM במספר תהליכי ייצור מתקדמים של מפעלי ייצור שבבים מובילים. החברה כבר הדגימה את טכנולוגיית ה-GCRAMשלה על שבבים במספר תהליכי ייצור מתקדמים ואף הודיעה בעבר על שיתוף פעולה עם NXP.
“סבב גיוס זה, שכלל משקיעים אסטרטגיים ופיננסיים מובילים, הוא סימן נוסף לאמון בחברה ובטכנולוגיה המהפכנית שלנו”, אמר רוברט גיטרמן, מנכ”ל ומייסד שותף של RAAAM. “הטכנולוגיה שלנו מאפשרת לשפר משמעותית את הביצועים של שבבי בינה מלאכותית מתקדמים, באמצעות מימוש הזיכרון בצפיפות גדולה והורדת צריכת ההספק בהשוואה ל-SRAM”.
“מימון זה, והגיבוי של משקיעים אסטרטגיים כמו NXP וחברה המובילה בתחום הרשתות והתקשורת, מהווים אישור לצורך שקיים בתעשייה לטכנולוגיה שלנו”, אמר אלי ליזרוביץ, המנהל העסקי של RAAAM. “אנו נמצאים כעת בנקודה בה אנו יכולים להרחיב את שיתופי הפעולה עם חברות שבבים ומפעלי ייצור שבבים מובילים, ולהתאים את הפתרונות שלנו לדרישות הלקוחות בהתאם לתוכניות הפיתוח שלהם”.
“שיתפנו פעולה עם RAAAM במשך כמה שנים וראינו במו עינינו את הפוטנציאל של טכנולוגיית הזיכרון על גבי שבב שלהם”, אמר ויקטור וואנג (Victor Wang), סגן נשיא לחדשנות Front-End ב-NXP Semiconductors. “הפתרון של RAAAM מתמודד ישירות עם אחד האתגרים הקריטיים ביותר בתכנון מתקדם של שבבים, ואנחנו מאמינים שהוא יכול לספק רמה משמעותית של צפיפות ושיפורים בצריכת הספק ביישומים רבים”.
